等静压石墨坩埚和碳化硅石墨坩埚资料成分与制造工艺的差异

中心资料：以高纯石墨（含碳量>99.9%）为根底，经过等静压成型工艺压制而成。

工艺特色：选用600-1050MPa高压均匀施压，使资料内部结构致密无缺陷，密度均匀性优于传统模压（密度差<1%），且具备各向同性特性（各向同性度1.0-1.1）。

增强手法：部分产品经过外表涂层（如氮化硼）或碳化硅颗粒填充提高性能，但主体仍为高纯石墨。

碳化硅石墨坩埚

中心资料：以天然石墨粉为根底，添加碳化硅（SiC）颗粒（含量通常为24%-50%）及三氧化二铝等粘结剂，经过旋转成型或等静压成型工艺制成。

工艺特色：碳化硅颗粒填充石墨孔隙，构成致密复合结构，显气孔率低（≤32%），体积密度高（≥1.71g/cm3）。

增强手法：部分产品选用防氧化涂层（如特制釉层）提高耐腐蚀性。