石墨盘的降温阶段控制

1. 控制降温速率

遵从工艺要求：不同工艺对降温速率有不同要求。在半导体晶圆的冷却过程中，降温速率过快会导致晶圆内部产生缺陷。一般降温速率控制在每分钟3-5℃。关于一些金属资料，可能需要更缓慢的降温速率，以促进晶粒的均匀成长。

选用分级降温：可以选用分级降温的办法，先以较快的速率降至一定温度，然后再以较慢的速率降至室温。例如，在金属热处理中，先将温度从高温快速降至中温，然后再缓慢降至室温，这样可以减少资料的内应力。

2. 防止部分冷却过快

均匀冷却：在降温过程中，要保证石墨盘各部位冷却速度均匀。可以经过调整冷却气流的分布、选用水冷夹套等办法，使热量均匀地散发出去。防止因部分冷却过快导致石墨盘变形或开裂。